光電変換素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255639
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095387
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】色素増感型の光電変換素子の光解放電圧を高めることにより、高い光電変換効率を得ることが可能な光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光電変換素子は、アノード電極とカソード電極とを対向配置し、アノード電極とカソード電極と側壁とにより形成されたセル内に電解質を封入し、アノード電極を電解質側の表面に導電性及び光透過性を有する膜が形成された透明基板11と光電極層22とにより構成し、光電極層22を、電子伝導性を有する多孔質の酸化物半導体層31と、この酸化物半導体層31の表面に形成され酸化物半導体層31を構成する物質と同一の物質からなる膜状の被覆層32と、この膜状の被覆層32の表面に形成され前記酸化物半導体層31を構成する物質と異なる物質からなる粒子状の被覆層33と、これらに吸着された増感色素とにより構成したことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透明電極と対向電極とを電解質を介して対向配置し、前記透明電極の前記電解質側の少なくとも一部に酸化物半導体層を形成し、この酸化物半導体層の少なくとも一部に色素を吸着させてなる光電変換素子において、前記酸化物半導体層の表面には、この酸化物半導体層を構成する物質と同一の物質からなる第1の被覆層が形成され、この第1の被覆層の上には、前記酸化物半導体層を構成する物質と異なる物質からなる第2の被覆層が形成され、さらに、これらの層の少なくとも一部に色素が吸着されてなることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01M14/00 , H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z

Fターム (16件)：

5F051AA07 , 5F051AA14 , 5F051CB13 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS09 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032CC16 , 5H032EE02 , 5H032EE03 , 5H032EE07 , 5H032EE16

引用文献：

出願人引用 (6件)

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