特許
J-GLOBAL ID：200903077426331070
ドーピング方法、ドーピング装置の制御システム、およびドーピング装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196493
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039936
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】ドーピング中におけるイオン種の割合の変化に対応してドーズ量の制御可能なドーピング方法、ドーピング量を制御する制御システムおよび制御システムを備えたドーピング装置を提供する。【解決手段】イオンビーム中の特定イオンのイオン電流値を測定し、得られたモニター信号を制御手段に入力するイオン検出器を有し、所定のドーズ量とするための設定データを入力手段により前記制御手段に入力し、前記モニター信号から実際のドーズ量を求める換算データを記憶手段により前記制御手段に入力し、前記制御手段において、入力された前記モニター信号および前記換算データにもとづくデータ処理を行い、前記所定のドーズ量とするための制御信号を前記制御手段からドーズ量制御系に入力することによって制御されたイオンビームを被処理体にドーピングすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理体に質量分離せずに一導電型の不純物元素を含む複数種のイオンを同時に注入するドーピング方法であって、
前記複数種のイオンのうち存在比率が最大のイオンを選択して、当該イオン電流を測定し、
前記存在比率が最大のイオンのイオン電流と、注入される前記一導電型の不純物元素の濃度を関連づける換算データとを対比して、
前記被処理体に注入される前記一導電型の不純物元素の濃度が一定となるようにドーズ量を制御することを特徴とするドーピング方法。
IPC (3件)：
H01L21/265
, H01J37/05
, H01J37/317
H01L21/265 F
, H01J37/05
, H01J37/317 C
, H01L21/265 T
5C033AA02
, 5C033NN08
, 5C034CD06
, 5C034CD07
