磁性多層膜作製装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-365696
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167661
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】【課題】 TMR素子やMRAMの製作で通常な構成であり、半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適し、膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を提供する。【解決手段】基板の上に複数の磁性膜の各々を順次に積層状態で堆積して磁性多層膜を作製する磁性多層膜作製装置10である。磁性多層膜を複数のグループ(A,B,C)に分け、複数のグループの各々は連続して積層状態で堆積される複数の磁性膜から成る。複数のグループの各々に含まれる複数の磁性膜は同じ1つの成膜チャンバ17A,17B,17Cで基板に順次に堆積させるように構成される。グループごとに異なる成膜チャンバで成膜が行われる。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の磁性膜を含む多層膜を順次に積層状態で堆積して磁性多層膜を作製する磁性多層膜作製装置において、前記複数の磁性膜を複数のグループに分け、前記複数のグループの各々は、連続して積層状態で堆積される複数の磁性膜から成り、前記複数のグループの各々に含まれる前記複数の磁性膜は同じ成膜チャンバで前記基板に順次に堆積させるように構成した、ことを特徴とする磁性多層膜作製装置。

IPC (7件)：

C23C 14/06 , C23C 14/34 , G11B 5/39 , H01F 41/18 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (8件)：

C23C 14/06 T , C23C 14/06 N , C23C 14/34 V , G11B 5/39 , H01F 41/18 , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , H01L 27/10 447

Fターム (28件)：

4K029BA03 , 4K029BA16 , 4K029BA21 , 4K029BA24 , 4K029BA25 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BC06 , 4K029BD04 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DA01 , 4K029DC16 , 4K029KA01 , 5D034BA02 , 5D034DA04 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB01 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗ヘッド用成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346218 出願人：日本真空技術株式会社
複室堆積システム及び磁気抵抗センサ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-138934 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
マルチチャンバースパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-039679 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る