特許

J-GLOBAL ID：200903077434062495

張り合わせSOI基板の作製方法

発明者： 橋本 誠
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275904
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125880
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 熱酸化法以外の方法により埋め込み酸化膜を形成しても、SOI層の厚さを均一にできる張り合わせSOI基板の作製方法を提供する。【解決手段】 第1のSiウエハー201 の表面にLOCOS酸化膜202 を形成することにより、ウエハー201 の表面に段差204 を設け、酸化膜202 及びウエハー201 の上に平坦化されたシリコン酸化膜205 を設け、ウエハー201 に酸化膜205及びLOCOS酸化膜202 を通してSmart Cut 法におけるイオン注入を行うことにより、ウエハー201 中の一定の深さに該イオン注入のピークレンジを形成し、次に、酸化膜205 の表面に第2のSiウエハー207 を張り合わせ、Siウエハー201 を上記ピークレンジの部分で切断し、切断後のSiウエハー201 の表面をLOCOS酸化膜202 をストッパーとして研磨砥粒を含まないアルカリ系研磨液により化学的に研磨する。

請求項（抜粋）：

Siウエハーの表面に段差を設ける工程と、その表面にSi以外の材質から構成される研磨ストッパー層を形成する工程と、上記研磨ストッパー層及び上記Siウエハーの上に平坦化された絶縁膜を設ける工程と、上記Siウエハーに上記絶縁膜及び上記研磨ストッパー層を通してSmart Cut法におけるイオン注入を行うことにより、該Siウエハー中の一定の深さに該イオン注入のピークレンジを形成する工程と、上記絶縁膜の表面に半導体ウエハーを張り合わせる工程と、上記Siウエハーを上記イオン注入のピークレンジの部分で切断する工程と、上記Siウエハーの切断後の表面を、上記研磨ストッパー層をストッパーとして研磨砥粒を含まないアルカリ系研磨液により化学的に研磨する工程と、を具備することを特徴とする張り合わせSOI基板の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 29/78 627 D