特許

J-GLOBAL ID：200903077434512504

半導体レーザの製造方法

発明者： 宮下 宗治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248921
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111357
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザの製造プロセス中、何回かに分けて行われる結晶成長の回数を減らし、しかもレーザチップの光出射端部を構成する窓層の形成を、活性層両側部の露出による結晶性の劣化を招くことなく行う。【構成】 n型GaAsウエハ上に、活性層を含むダブルヘテロ接合のAlGaAs積層構造を形成し、全面にキャップ層5を形成した後、絶縁膜のパターニングにより、リッジ形成領域両側の絶縁膜開口部110aを含む絶縁膜開口率の大きい第1の被処理領域210と、レーザ出射端形成領域上の絶縁膜開口部110bを含む絶縁膜開口率の小さい第2の被処理領域220とを形成し、絶縁膜開口率が小さい領域程エッチング速度が大きくなる化学反応性のガスエッチング処理により、上記絶縁膜開口部110a,110bをエッチングするようにした。

請求項（抜粋）：

レーザ素子を形成するためのチップ領域が複数割り当てられた第1導電型半導体基板上に、第1導電型下クラッド層,活性層,第2導電型上クラッド層,及び第2導電型キャップ層を順次形成する工程と、上記第2導電型キャップ層上に絶縁膜を形成し、その後、上記絶縁膜のパターニングにより、上記レーザ素子のリッジ形成領域両側に絶縁膜開口部を、該絶縁膜開口部及びその周辺領域が絶縁膜開口率の大きい第1の被処理領域となるよう形成し、かつ上記レーザ素子の光出射端形成領域上に絶縁膜開口部を、該絶縁膜開口部及びその周辺領域が絶縁膜開口率の小さい第2の被処理領域となるよう形成する工程と、上記パターニングされた絶縁膜をマスクとする、絶縁膜開口率が小さい程エッチング速度が大きくなる化学反応性のガスエッチング処理により、上記第1及び第2の被処理領域の絶縁膜開口部をエッチングして、第1の被処理領域に上記レーザ素子のリッジ部を形成すると同時に、上記第2の被処理領域に、その側面がレーザ光出射端面となるエッチング溝を形成する工程と、上記エッチングにより除去した部分に、バンドギャップが上記活性層より大きい半導体層を埋め込んで、上記第1の被処理領域のリッジ部両側に上記レーザ素子の電流ブロック層を、第2の被処理領域のエッチング溝内に上記レーザ素子の窓層を形成する工程と、上記絶縁膜を除去した後、全面に第2導電型コンタクト層を介して表面電極を形成するとともに、上記半導体基板の裏面側に裏面電極を形成する工程と、上記半導体基板上の各チップ領域に形成されたレーザ素子をチップ分離して、窓層付きリッジ型半導体レーザチップを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。