特許
J-GLOBAL ID：200903077438734285

ドライエッチング方法

発明者：
長山 哲治

長山 哲治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240402
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 高密度プラズマ装置を用い、3層レジスト・プロセスの下層レジスト膜の高速・高選択異方性エッチングを行う。【構成】 誘導結合プラズマ(ICP)装置のエッチング・チャンバ46の内部では、エッチング反応生成物COx の再解離の寄与により、O* (酸素ラジカル)の密度がマルチターン・アンテナ45から遠ざかるにつれて低下する。そこで、ウェハ・ステージ48を矢印H方向に昇降させる駆動機構を設け、マルチターン・アンテナ45の下端からウェハ・ステージ48までの距離hI を可変とする。ジャストエッチング時にはこの距離hI を相対的に小として高速異方性エッチングを行い、オーバーエッチング時には相対的に大として高選択異方性エッチングを行う。【効果】 オーバーエッチング時、過剰ラジカルによる異方性形状の劣化を防止できる。
請求項（抜粋）：
イオン密度が1011イオン/cm3 以上のプラズマを生成するプラズマ生成部を有するプラズマ装置に放電解離条件下で酸素系活性種を生成可能なエッチング・ガスを導入し、該プラズマ装置内に保持された基板と該プラズマ生成部との間の距離を変化させながら該基板上の有機材料膜を選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件)：
H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 F
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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