特許

J-GLOBAL ID：200903077443566684

電界効果型半導体装置の製造方法

発明者： 倉田 創
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329592
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148482
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 電界効果型半導体装置の製造方法に関し、SOIウエハに於けるSi層にGeをイオン注入してSiGe層を生成させるに際し、Geのイオン注入量が少なくても、チャネル領域には充分な濃度のGeが存在するSiGe層を生成できるようにし、電界効果型半導体装置に於けるキャリヤ移動度を高めて電流駆動力を向上しようとする。【解決手段】 SOIウエハに於けるSi層3にGeイオンを注入してからSi層3を熱酸化して表面にSiO2 層4を形成すると共に薄層化されたSiGe層3Gに変換する工程が含まれてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

SOIウエハに於けるSi層にGeイオンを注入してから該Si層を熱酸化して表面にSiO2 層を形成すると共に薄層化されたSiGe層に変換する工程が含まれてなることを特徴とする電界効果型半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 21/265 Z

Fターム (25件)：

5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG36 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HM15