特許

J-GLOBAL ID：200903077449959149

半導体製造装置

発明者： 佐久間 敏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131591
公開番号（公開出願番号）：特開平8-323138
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：

【要約】【目的】 プロセス処理後の排気ガスに含まれる異物の除去効果の向上を図る半導体製造装置を提供する。【構成】 モノシランガスなどの処理ガスを用いて半導体ウェハ上に単結晶層を成長させるエピタキシャル成長装置と、エピタキシャル成長装置に接続されかつ排気ガス5の排気通路である第1ダクト6または第2ダクト8に排気ガス5を濾過する前処理塔7が設置された排気部3と、排気部3に接続されかつ前処理塔7を通過した排気ガス5を洗浄する排気洗浄装置とからなり、排気ガス5を排気する際、前処理塔7によって排気ガス5を濾過した後に前記排気洗浄装置で洗浄して排気を行う。

請求項（抜粋）：

プロセス処理後の排気ガスを洗浄して排気する半導体製造装置であって、シランガスなどの処理ガスを用いて被処理物に処理を行うプロセス処理部と、前記プロセス処理部に接続され、かつ前記排気ガスの排気通路に前記排気ガスを濾過する濾過材が設けられた排気部と、前記排気部に接続され、かつ前記濾過材を通過した排気ガスを洗浄する排気洗浄部とを有し、前記排気ガスを排気する際、前記濾過材を通過させた後に前記排気洗浄部で洗浄して排気を行うことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

B01D 53/46 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

B01D 53/34 120 A ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205