特許

J-GLOBAL ID：200903077451494420

多層配線基板およびその製造方法

発明者： 立野 周一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308536
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】ビア直径が75μm以下の微細なビアホール導体を有する高密度配線化された多層配線基板と、それを容易に製造することのできる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1表面に第1の配線回路層2が被着形成されてなるコア基板3の表面に、軟質の絶縁層4を形成し、その表面に第2の配線回路層5を被着形成した後、第2の配線回路層5が被着形成された絶縁層4表面に少なくとも2層以上の離型層を被着し、レーザー光の照射によって離型層及び絶縁層にビアホールを形成し、その後、メッキ触媒を全面に塗布した後に最表面の第2の離型層のみを除去した後に、無電解メッキ法によってビアホール内のみに金属を析出、充填し、第1の配線回路層と第2の配線回路層とをビアホール導体で電気的に接続し、さらに、多層配線層a1〜a3内に連結ビアホール導体12を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板表面に第1の配線回路層が被着形成されてなるコア基板と、該コア基板の表面に絶縁層と配線層とが交互に積層形成されてなり前記絶縁層内に異なる配線層間を接続するためのビアホール導体が形成されてなる多層配線層と、を具備する多層配線基板であって、前記ビアホール導体の直径rと絶縁層の厚みt1とが、t1/r≦2、r≦75μmの関係を満足し、且つ前記ビアホール内にメッキによって析出した金属がホール全体に充填されていることを特徴とする多層配線基板。

IPC (6件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/20 ,  H05K 3/42 640

FI (6件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 1/11 N ,  H05K 3/18 D ,  H05K 3/20 A ,  H05K 3/42 640 B ,  H01L 23/12 N

Fターム (23件)：

5E317AA21 ,  5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC33 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E343AA07 ,  5E343AA12 ,  5E343CC61 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD56 ,  5E343DD62 ,  5E343DD76 ,  5E343GG11 ,  5E346AA41 ,  5E346CC08 ,  5E346FF13 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346GG33 ,  5E346HH32