特許

J-GLOBAL ID：200903077455320257

半導体装置の製造方法及びエッチング方法

発明者： 後藤 和美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052644
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240397
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 上層の膜をエッチングして下層の膜を露呈させるエッチングに際し、上層のエッチングの終了を確実にしかも容易にすることを可能にする。【構成】 半導体基板11上に配線層16を形成し、その上にカバー膜18を形成し、このカバー膜18に開口18aを開設して配線層16の表面を露呈させて電極パッドを形成するに際し、その開口18aに相当する領域にカバー膜18の膜厚の2倍以上の平面長さを有するチェックパターン20Aをエッチングマスクとして設ける。カバー膜18が全膜厚にわたってエッチングされると、その際のサイドエッチングによりチェックパターン20Aの下側のカバー膜18がエッチングされるため、チェックパターン20Aが半導体基板上から除去されることとなり、このチェックパターン20Aの有無によりエッチングの終了が確認できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した第1の膜の上に第2の膜を被着し、この第2の膜を選択的にエッチングして前記第1の膜の表面を露呈させる開口を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記第2の膜にエッチング形成する開口内に、第1の膜の膜厚の2倍以上の平面長さを有するチェックパターンを第2の膜のエッチング用マスクとして設け、このチェックパターンが除去されるまで第2の膜を等方性エッチングし、かつその後に所定の時間エッチングを継続して第2の膜に開口を開設することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/306 U ,  H01L 21/302 E