特許
J-GLOBAL ID：200903077458710030
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅井 章弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140031
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333850
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 処理ガスが流出する時の抵抗を高めることによりヘッダ内のプラズマ放電を抑制したプラズマ処理装置を提供する。【構成】 処理ガス供給ヘッダ51を有する電極20に形成した第1のガス孔70を介して処理空間Sに処理ガスを供給しつつ対向する電極22に保持した被処理体Wにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記ヘッダより流出する処理ガスに抵抗を付与する抵抗付与手段72を設け、これによりヘッダ内雰囲気をパッシェンの法則の放電領域外の状態にし、プロセス圧力が0.5Torr以下の場合でもヘッダ内にプラズマ微小放電が発生しないようにする。
請求項（抜粋）：
処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成した第1のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス供給ヘッダから前記ガス孔を介して前記処理空間に流通する処理ガスに対して、前記処理空間の処理圧力を0.5Torr以下に設定した時に前記供給ヘッダ内にプラズマ放電が生じないように抵抗を付与する抵抗付与手段を形成するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/31
, H05H 1/46
