電子線描画方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327208
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167734
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】光露光との混用した電子ビームによる合せ露光において、高速かつ高精度に合せマークを検出し、補正可能な電子線描画方法及び装置を実現する。【解決手段】 4つの露光チップ17の中心位置Pcを中心とする、それぞれの露光チップ17の四隅にL字形の合せマーク15が配置されている。各マーク15は検出走査範囲内にあり、一対のマーク間の相対変位が一回の走査で計測され、XY方向に各2回の走査で全てのL字マーク15の相対変位が計測可能である。このように、中心を位置Pcとする4つの露光チップ17の四隅からなる1〜4象限のマーク座標(x1,y1)〜(x4,y4)は、マーク15のL字の直角頂点の座標として直接求められる。得られた複数のマーク位置の平均値を配列誤差とし、相対変位から像歪量を計測し補正する。各チップ毎に周辺マークを計測し補正する場合に比べ、合せ補正の高速化と高精度化が可能である。

請求項（抜粋）：

電子ビームによる描画対象物であるウェハ面上に規則的に配置した下地パターン近傍に位置合せマークを設け、この合せマークをビーム偏向器で走査して得られる散乱電子波形からマーク位置を検出し、検出したマーク位置からウェハ面上の下地パターンの歪量と配列誤差を算定しビーム偏向器の偏向座標と移動ステージ座標を補正し合せ露光を行う電子線描画方法において、複数の合せマークを下地パターン周辺のビーム偏向範囲内に配置し、一括してビーム走査して、マーク位置を検出し、隣接した複数の合せマークの相対変位量から、対応する下地パターンの歪量を算定し、下地パターンの描画座標を変数とした歪関数で近似し描画位置合せ補正することを特徴とする電子線描画方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504

FI (3件)：

H01L 21/30 541 J , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-077937
特開昭56-012730

前のページに戻る