特許

J-GLOBAL ID：200903077461253430

プラズマ処理装置

発明者： 野上 裕
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144774
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 イオンエネルギ-の分布幅を狭くできて、かつイオンエネルギ-の制御を容易にする。【構成】 ECRエッチング装置において、プラズマ発生室22と処理室24をそれぞれ導体で形成し、独立の直流電源26、28によって電位を印加する。プラズマ発生室22と処理室24の間には絶縁スペ-サ30、32と導体スペ-サ34を配置する。導体スペ-サ34には金属メッシュ36を張ってあり、直流電源40によって電位を印加できる。石英窓50を通してマイクロ波52をプラズマ発生室22内に供給し、ECRプラズマを発生させる。プラズマ発生室22と処理室24と金属メッシュ36の電位を制御することにより、処理室24に向かうイオンの流れを誘起する。また、電子シャワ-装置62によって電子シャワ-を処理室24の内部に向けて放出する。

請求項（抜粋）：

導体からなるプラズマ発生室と、導体からなる処理室とを設け、プラズマ発生室と処理室とを電気的に絶縁して異なる電位にするとともに、プラズマ発生室の内部空間と処理室の内部空間とを連通させたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-307226
  
• 特開平1-184827
  
• 特開昭62-185324