半導体素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蛭川昌信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167324
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130344
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】リッジまたはグルーブを有する半導体発光素子の一層の多様化を図り、任意の混晶比のAlY Ga1-Y Asからなる層をウェットエッチングして所望の形状のリッジ又はグルーブを正確に形成する。【構成】基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなる半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-277909 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-296290
特開平1-304793

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