特許
J-GLOBAL ID:200903077466862132
半導体素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
蛭川 昌信 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-167324
公開番号(公開出願番号):特開平8-130344
出願日: 1995年07月03日
公開日(公表日): 1996年05月21日
要約:
【要約】【目的】 リッジまたはグルーブを有する半導体発光素子の一層の多様化を図り、任意の混晶比のAlY Ga1-Y Asからなる層をウェットエッチングして所望の形状のリッジ又はグルーブを正確に形成する。【構成】 基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板上に少なくともAlW Ga1-W Asからなる層に接して、第2エッチング阻止層、第1エッチング阻止層、及びAlY Ga1-Y Asからなる層を順次積層してなる半導体素子であって、該AlY Ga1-Y Asからなる層の一部、及び第1エッチング阻止層の一部が除去されている構造を有してなる半導体素子。
引用特許:
出願人引用 (20件)
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-277909
出願人:三菱電機株式会社
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特開平3-296290
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特開平1-304793
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審査官引用 (23件)
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-277909
出願人:三菱電機株式会社
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特開平3-296290
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特開平1-304793
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半導体レーザ装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-002406
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-019824
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特開昭61-285781
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特開平2-043790
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特開昭62-073687
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半導体レーザー
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-248573
出願人:ソニー株式会社
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特開平3-145172
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半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-189608
出願人:シャープ株式会社
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半導体レーザとその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-342135
出願人:日本電気株式会社
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量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-214277
出願人:古河電気工業株式会社
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特開平1-184973
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半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-130858
出願人:松下電子工業株式会社
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特開平3-296290
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特開平1-304793
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特開昭63-019824
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特開昭61-285781
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特開平2-043790
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特開昭62-073687
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特開平3-145172
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特開平1-184973
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