バリア層を有する集積回路およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-527330
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510839
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】集積回路(100、200、300、400、500、700、740、900)における水素拡散バリア(132、124、332、432、424、532、524、720、710、750、770、912)は、水素が金属酸化物材料の誘電体薄膜(128、328、428、528、711、764、908)に向かって拡散することを抑止するために配置される。水素拡散バリアは、少なくとも、五酸化タンタル、酸化タングステン、酸化アルミニウム、酸化チタンのうちの1つを含む。誘電体薄膜は、強誘電性または高誘電性、非強誘電性材料である。好適には、金属酸化物は、強誘電層状超格子材料を含む。水素拡散バリア層は、単一の連続層(132)であり、共通プレート電極および誘電体薄膜を完全に被覆し得るが、回路における他の素子は水素に曝す。

請求項（抜粋）：

金属酸化物材料の誘電体薄膜(128、328、428、528、711、764、908)と、水素拡散バリア層(132、332、432、532、720、750、770、912)とを含む、集積回路(100、200、300、400、500、700、740、900)であって、該水素拡散バリア層は、水素が該誘電体薄膜に向って拡散することを防止するために配置され、該集積回路は、該水素拡散バリア層が、五酸化タンタル、酸化タングステンおよび酸化チタンから構成される群から選択された酸化物を含むことを特徴とする、集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/316 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/316 G , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

Fターム (25件)：

5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083FR06 , 5F083FR07 , 5F083GA27 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F101BA62 , 5F101BH30

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