特許

J-GLOBAL ID：200903077468583966

光電変換素子

発明者： 豊田 竜生 ,  武石 裕美子
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243466
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 光スペクトルの吸収波長領域を拡大し、光エネルギーから電気エネルギーへの変換特性を向上させる。【解決手段】 導電性基板30、31上に複数の半導体層32〜34が積層して設けられ、該導電性基板30、31の対極39をなす導電性基板36、37上に触媒が担持され、前記の両導電性基板30、31、36、37の間に電解質層35が設けられ、前記半導体層32〜34ごとに異なる吸収波長を有する色素が担持され、入射光側に位置する半導体層の色素の吸収波長が、該半導体層の後方の半導体層の色素の吸収波長より短波長になっていることを特徴とする光電変換素子。

請求項（抜粋）：

導電性基板上に複数の半導体層が積層して設けられ、該導電性基板の対極をなす導電性基板上に触媒が担持され、前記の両導電性基板の間に電解質層が設けられ、前記半導体層ごとに異なる吸収波長を有する色素が担持され、入射光側に位置する半導体層の色素の吸収波長が、該半導体層の後方の半導体層の色素の吸収波長より短波長になっていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE15 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH07