特許
J-GLOBAL ID：200903077474068240
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174234
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020487
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、誤書き込みや再書き込みによる書き込み回数の増大を防止してチップ寿命を向上させることを目的とする。【構成】 メモリ手段1におけるブロック内のページアドレスと物理的な位置との対応を管理する管理手段と、メモリ手段1の書き込み順に関する規則に従って次に使用されるべきページの物理的な位置をポイントするポイント手段と、データの書き込みに際しポイント手段でポイントされている位置を参照してデータを書き込む制御手段15とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数個のページから構成されるブロックに分割されたメモリセルアレイを備えたメモリ手段と、前記ブロック内のページアドレスと物理的な位置との対応を管理する管理手段と、前記メモリ手段の書き込み順に関する規則に従って次に使用されるべき前記ページの物理的な位置をポイントするポイント手段と、データの読み出しに際しては前記管理手段で管理された前記ブロック内のページアドレスと物理的な位置との対応を参照して必要なデータをアクセスし、データの書き込みに際しては前記ポイント手段でポイントされている次に使用されるべき前記ページの物理的な位置を参照してデータを書き込み前記管理手段及びポイント手段の内容を更新する制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
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