特許
J-GLOBAL ID：200903077478860739
縦型CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275533
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 縦型CVD装置に関し、成長に際し被処理物のパーティクル汚染を防止する構造を提供し、半導体装置の製造品質を向上させることを目的とする。【構成】 立てた状態に配置されたアウターチューブ1と、該アウターチューブ1内に該アウターチューブ1の内壁から離隔し且つ該内壁に沿って挿入され、内部に被処理物8が配置されるインナーチューブ2と、該アウターチューブ1の側面の外周に配置され装置内を所定の温度に昇温せしめるヒータ3とを有してなり、該アウターチューブ2は閉塞された上部端面を持ち、下端部側から真空排気9がなされる構造を有し、該インナーチューブ1は、閉塞された上部端面を持ち、下端部側に反応ガスの導入口6を有し、且つ上端部近傍の側壁にアウターチューブ1の内部に通ずる排気口2aを設けた構造を有するように構成する。
請求項（抜粋）：
立てた状態に配置されたアウターチューブと、該アウターチューブ内に該アウターチューブの内壁から離隔し且つ該内壁に沿って挿入され、内部に被処理物が配置されるインナーチューブと、該アウターチューブの側面の外周に配置され装置内を所定の温度に昇温せしめるヒータとを有してなり、該アウターチューブは閉塞された上部端面を持ち、下端部側から真空排気がなされる構造を有し、該インナーチューブは、閉塞された上部端面を持ち、下端部側に反応ガスの導入口を有し、且つ上端部近傍の側壁にアウターチューブの内部に通ずる排気口を設けた構造を有することを特徴とする縦型CVD装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 25/10
, C30B 25/14
, H01L 21/285
, H01L 21/31
