特許

J-GLOBAL ID：200903077480488928

金属バンプ及び半導体装置の生産方法

発明者： 戸井 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307495
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142487
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】所定の端子面に金属バンプを形成する金属バンプの生産方法において、一段と高精度の金属バンプの簡単かつ短時間の工程で形成する。【構成】所定の端子面に金属バンプを形成する際、導電性微粒子を上記端子面に噴射し、当該導電性微粒子を付着及び成長させることにより、一段と簡単かつ短時間で高精度の金属バンプを形成することができる。

請求項（抜粋）：

所定の端子面に金属バンプを形成する金属バンプの生産方法において、導電性微粒子を上記端子面に噴射し、上記端子面において互いに付着した上記導電性微粒子の堆積層を形成し、上記堆積層を融着することによつて上記金属バンプを形成することを特徴とする金属バンプの生産方法。