多結晶シリコン膜のリアクティブイオンエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮越典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354068
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166768
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコン膜のエッチング時に発生する酸素の影響を回避し、反応生成物による保護膜を均一とすることができ、しかも、多結晶シリコンの寸法精度を改善する多結晶シリコン膜のリアクティブイオンエッチング方法を提供すること。【構成】シリコン基板1上にゲ-ト酸化膜2を形成し、多結晶シリコン膜3を減圧CVDにより成長させ、フォトリソグラフィ-技術を用いてレジストパタ-ン4を形成する(図1工程A)。次に、このレジストパタ-ン4をマスクとして、Cl2、HBr及びHeガスに、更に、N2ガスを添加し、この混合ガスを用いて多結晶シリコン膜3をリアクティブイオンエッチングする(図1工程B)。【効果】 N2ガスを添加したことにより、エッチングパタ-ン側壁にSiNx-SiBrxからなる反応性生成物6が再付着するため、ストッパ-となるゲ-ト酸化膜2より発生する酸素(Ox)5の影響が回避することができ、多結晶シリコンの寸法精度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にゲ-ト酸化膜を形成し、多結晶シリコン膜を減圧CVD法により成長させ、フォトリソグラフィ-技術を用いてレジストパタ-ンを形成し、多結晶シリコン膜のみを、常温で真空室内で安定なプラズマ放電が発生する条件下で、Cl2、HBr及びHeの混合ガスを用いてリアクティブイオンエッチングする方法において、上記混合ガスにN2ガスを添加し、Cl2、HBr、He及びN2ガス中でエッチングすることを特徴とする多結晶シリコン膜のリアクティブイオンエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-090521
特開平3-222417
特開平2-090521

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