特許
J-GLOBAL ID：200903077488522092
Nb3Sn化合物超電導体の前駆線材およびその製造方法、Nb3Sn化合物超電導導体の製造方法、並びにNb3Sn化合物超電導コイルの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160715
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353961
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 外部からの負荷歪みに対して強く、且つ導体あるいはコイルを形成する加工工程中に、Snの融点以上の熱を加えることができる、即ち撚り線加工あるいはコイル形成し易く、また外部からの負荷歪みが加わっても臨界電流密度特性の劣化を抑制できる、Nb3Sn化合物超電導体の前駆線材を提供する。【解決手段】 Cu-Sn基マトリックス11中に、Cu-Sn基マトリックスのみからなる中央部の外側に、多数のNb基フィラメント12を分離して埋設し、Nb基フィラメント12の外周にNb-Sn基化合物層13を形成する。
請求項（抜粋）：
Cu-Sn基マトリックス、上記Cu-Sn基マトリックスの中央部より外側に分離して埋設された多数のNb基フィラメント、および上記Nb基フィラメントの外周に形成したNb-Sn基化合物層を備えたNb3Sn化合物超電導体の前駆線材。
IPC (11件)：
H01B 13/00 565
, H01B 12/10 ZAA
, C22F 1/00 ZAA
, C22F 1/00 625
, C22F 1/00 627
, C22F 1/00 661
, C22F 1/00 680
, C22F 1/00 685
, C22F 1/00 686
, C22F 1/00 691
, C22F 1/00
H01B 13/00 565 F
, H01B 12/10 ZAA
, C22F 1/00 ZAA D
, C22F 1/00 625
, C22F 1/00 627
, C22F 1/00 661 A
, C22F 1/00 680
, C22F 1/00 685 Z
, C22F 1/00 686 Z
, C22F 1/00 691 B
, C22F 1/00 691 C
