特許
J-GLOBAL ID：200903077489007965
半導体装置作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293484
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213635
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 非単結晶半導体をチャネル形成領域に用いたトップゲイト型の絶縁ゲイト型半導体装置の特性を向上せしめるための、良好な加熱処理方法および加熱処理装置を提供する。【構成】 少なくともゲイト電極を形成した後、紫外光を照射しながら、窒素酸化物もしくは水素化窒素を有する雰囲気て300〜650°Cの加熱処理をおこなうことによって、非単結晶中もしくはゲイト絶縁膜界面の再結合中心を中和、消滅せしめる。
請求項（抜粋）：
トップゲイト型でゲイト絶縁膜に隣接するチャネル領域の少なくとも一部が非単結晶半導体よりなる絶縁ゲイト型薄膜半導体装置において、少なくとも前記半導体装置のゲイト電極を形成したのちに、窒素酸化物を有する雰囲気中において、300〜650°Cに保持しつつ、前記半導体装置の上面および/または裏面より波長350nm以下の紫外光を照射する工程を有することを特徴とする半導体装置作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/318
