光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227027
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067800
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】受光領域以外の光入射を防止して、高S/N比の向上及び高速応答性の向上を図る。【構成】低抵抗のN型半導体シリコン基板1と、該N型半導体シリコン基板1上に形成された高抵抗のN型半導体領域2と、該N型半導体領域2内に形成されると共に、P型半導体領域からなる受光領域3とよりなる受光素子チップFを備えた光半導体装置を前提としている。そして、前記受光領域3の周辺には非透過性の樹脂よりなる被覆材9が形成され、受光領域3以外からの光入射のない構造とし、拡散電流成分や内部乱反射光等によるノイズ成分を取除き、高S/N比で、高速応答性に優れたものとする。

請求項（抜粋）：

低抵抗半導体基板と、該低抵抗半導体基板上に形成された同一導電型の高抵抗半導体領域と、該高抵抗半導体領域内に形成されると共に、該高抵抗半導体領域と異なる導電型の半導体領域からなる受光領域とよりなる受光素子チップを備えた光半導体装置において、前記受光領域の周辺には非透過性の樹脂よりなる被覆材が形成されていることを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-114584
特開昭60-170982

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