特許
J-GLOBAL ID：200903077506087862
CVD装置における基板加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-081286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-273782
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構造で高温酸化雰囲気に耐えることができ、基板加熱温度を大幅に高めることができる基板加熱装置を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素製のヒーター13と炭化ケイ素製の電極12との間に、イリジウム製のワッシャー17を介在させた状態で炭化ケイ素製の締付具(ボルト18)により前記ヒーター13と電極12とを固定する。
請求項（抜粋）：
高温酸化雰囲気下で基板上に酸化物薄膜を形成するCVD装置に用いる基板加熱装置において、炭化ケイ素製のヒーターと炭化ケイ素製の電極との間に、イリジウム製のワッシャーを介在させた状態で炭化ケイ素製の締付具により前記ヒーターと電極とを固定したことを特徴とするCVD装置における基板加熱装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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