特許

J-GLOBAL ID：200903077509075490

金属パターンの形成方法

発明者： 山口 峰生
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296216
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118829
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 耐酸性に優れる金属からなる金属パターンの側面に付着する付着物を確実に除去できると共に、パターン側面の基板面に対する垂直形状に優れた金属パターンを形成できるようにする。【解決手段】 第1のエッチング工程において、流量0.09slmの塩素と流量0.01slmのArとの混合ガスを用いて、レジストパターン18をマスクとして下部電極形成膜17Aの上部の6分の1程度に対してエッチングを行なう。続く第2のエッチング工程において、流量0.01slmの塩素と流量0.09slmのArとの混合ガスを用いて、下部電極形成膜17Aの残部に対してエッチングを行なうことにより、下部電極形成膜17Aから下部電極17Bを形成する。この結果、第1の工程により、下部電極17Bにおける開口部18aに露出するパターン側壁に可溶性の第1の側壁付着物21が形成され、第2の工程により、第1の側壁付着物21の側面に難溶性の第2の側壁付着物22が形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜上に、設計パターンである開口部を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターンを用いて、塩素を含む第1のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、前記マスクパターンの開口部の壁面又は前記金属膜における前記開口部の壁面に沿ってその下側に露出する露出面に第1の付着物が形成されるように前記金属膜の上部に対してエッチングを行なう第1のエッチング工程と、前記マスクパターンを用いて、前記第1のエッチングガスよりも塩素濃度が低い第2のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、前記第1の付着物の側面に第2の付着物が形成されるように前記金属膜の下部に対してエッチングを行なう第2のエッチング工程と、前記基板を薬液を用いて洗浄することにより、前記第1の付着物を除去する第1の付着物除去工程と、前記第2の付着物に対して物理的衝撃を加えて前記第2の付着物を除去することにより、前記金属膜に前記設計パターンを転写する第2の付着物除去工程とを備えていることを特徴とする金属パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/306 S ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 651

Fターム (38件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA10 ,  5F004EA12 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F043AA26 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043DD06 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043GG04 ,  5F043GG10 ,  5F083AD42 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05