特許

J-GLOBAL ID：200903077513383515

導電性レジスト膜及び半導体装置の製造方法

発明者： 篠原 理華
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217804
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074076
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明はレジスト膜の改善に関し、被加工対象上に直接,荷電粒子ビーム用のレジスト膜を塗布することなく、その構成及び形成方法を工夫してチャージアップを極力抑制すること、及び、荷電粒子ビームの屈曲照射現象を低減して精度良いパターン露光を行うこと。【構成】 荷電粒子に感応する樹脂膜と、前記樹脂膜の下に位置し、かつ、前記荷電粒子を樹脂膜に照射した際に当該荷電粒子を逃がす導電性の膜とが設けられた二重構造を有し、導電性の膜がアモルファスカーボン膜から成る。アモルファスカーボン膜は被加工対象上にカーボン膜が形成され、その後、カーボン膜上がフッ素系プラズマに曝されることにより形成される。

請求項（抜粋）：

荷電粒子に感応する樹脂膜と、前記樹脂膜の下に位置し、かつ、前記荷電粒子を樹脂膜に照射した際に当該荷電粒子を逃がす導電性の膜とが設けられた二重構造を有することを特徴とするレジスト膜。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 H