特許
J-GLOBAL ID：200903077514946696
ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069722
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280019
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】粒径の均一な良質のダイヤモンド状炭素薄膜を、簡単な工程で製造する方法。【構成】炭素と水素を含有するガス及び希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起して基材7に接触させ、基材7上にダイヤモンド状炭素膜からなる下地層を形成した後、該下地層に、炭素と水素を含有するガスを励起し接触させて成膜する。
請求項（抜粋）：
炭素と水素を含有するガス及び希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起して基材に接触させ、基材上にダイヤモンド状炭素膜からなる下地層を形成した後、該下地層に、炭素と水素を含有するガスを励起し接触させて成膜することを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
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