特許

J-GLOBAL ID：200903077518799205

窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法

発明者： 花岡 大介 ,  古川 勝紀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344219
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186364
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層に対して密着性が良く、物理的強度が強い電極層を得る。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体層13,17に接して、多結晶GaN電極層19,18を形成する。これらの多結晶GaN電極層19,18は、従来の金属電極層に比べて窒化物系III-V族化合物半導体層との密着性が良好であり、物理的強度も強い。また、これらの多結晶GaN電極層19,18は発光波長に対する透過率が高いので、発光の外部への取り出し効率も高く、また、窒化物系III-V族化合物半導体層に対するオーミック性も良好である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1層以上の窒化物系III-V族化合物半導体層を有する半導体装置において、該窒化物系III-V族化合物半導体層に接して、多結晶GaNまたは非単結晶GaNからなる電極層が設けられている窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/46 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-188977
  
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211793   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭61-179527