特許
J-GLOBAL ID：200903077518799205
窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344219
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186364
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層に対して密着性が良く、物理的強度が強い電極層を得る。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体層13,17に接して、多結晶GaN電極層19,18を形成する。これらの多結晶GaN電極層19,18は、従来の金属電極層に比べて窒化物系III-V族化合物半導体層との密着性が良好であり、物理的強度も強い。また、これらの多結晶GaN電極層19,18は発光波長に対する透過率が高いので、発光の外部への取り出し効率も高く、また、窒化物系III-V族化合物半導体層に対するオーミック性も良好である。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層以上の窒化物系III-V族化合物半導体層を有する半導体装置において、該窒化物系III-V族化合物半導体層に接して、多結晶GaNまたは非単結晶GaNからなる電極層が設けられている窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 H
, H01S 3/18
, H01L 29/46 H
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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