特許

J-GLOBAL ID：200903077539927130

パタン形成方法及びそれに用いるフォトレジスト材料

発明者： 服部 孝司 ,  服部 恵子 ,  内野 正市 ,  上野 巧 ,  筒井 謙 ,  福本 佳子 ,  小野塚 利彦 ,  森内 昇 ,  白井 精一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089029
公開番号（公開出願番号）：特開平8-286384
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、リソグラフィー技術により微細パタンの形成を行う際に、基板からの反射光による干渉作用や乱反射で起こるパタンの寸法変動や変形を低減させ、1回の露光、現像でパタンが形成できるパタン形成方法及びそれに用いる感放射線組成物を提供することにある。【構成】 第1のフォトレジスト膜2上に、露光波長における吸光度が第1のフォトレジスト膜よりも小さく、かつ感度が低い第2のフォトレジスト膜3を形成した後、露光現像を行う。【効果】 第1のレジスト膜の吸光度が大きいことにより基板からの反射光が低減され、また、第1のレジスト膜の感度が第2のレジスト膜より高いので第1のフォトレジストのパタン寸法を第2のフォトレジストのパタン寸法以下にでき、パタンの寸法変動や変形を低減できる。

請求項（抜粋）：

基板上に第1のフォトレジスト膜を形成する工程、前記第1のフォトレジスト膜上に第2のフォトレジスト膜を形成する工程、パタン露光又はパタン露光と露光後の加熱処理により、前記第1および第2のフォトレジスト膜に潜像を形成する工程、潜像形成後に前記第1および第2のフォトレジスト膜を同一現像液で現像する工程を含むパタン形成方法において、前記第1のフォトレジストの前記露光波長における吸光度が、前記第2のフォトレジスト膜の吸光度よりも大きく、前記現像後の前記第1のフォトレジストのパタン寸法が、前記第2のフォトレジストのパタン寸法以下となることを特徴とするパタン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/095 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/095 ,  H01L 21/30 561