特許

J-GLOBAL ID：200903077541453154

オーミック電極及びその形成方法

発明者： 宮嶋 孝夫 ,  成井 二三代
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160101
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335267
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】ZnSe等におけるII-VI族のn型結晶層に設けられた、低い接触比抵抗値、安定した特性、均一なオーミック性を有するオーミック電極及びその形成する方法を提供する。【構成】II-VI族のn型結晶層にオーミック電極22を形成する方法は、(イ)II-VI族のn型結晶層18に高濃度ドーピング層20を形成する工程と、(ロ)この高濃度ドーピング層20の表層をエッチングする工程と、(ハ)エッチング後の高濃度ドーピング層上20に、Ti層24を形成し、更にその上に金属層26,28を形成する工程、から成る。オーミック電極22は、II-VI族のn型結晶高濃度ドーピング層20に形成され、この高濃度ドーピング側から、Ti層24及び金属層26,28から成る。

請求項（抜粋）：

II-VI族のn型結晶層にオーミック電極を形成する方法であって、(イ)II-VI族のn型結晶層に高濃度ドーピング層を形成する工程と、(ロ)該高濃度ドーピング層の表層をエッチングする工程と、(ハ)エッチング後の高濃度ドーピング層上に、Ti層を形成し、更にその上に金属層を形成する工程、から成ることを特徴とするオーミック電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-072683
  
• 特開昭62-073710
  
• 特開昭54-104295