特許
J-GLOBAL ID：200903077542780523
エネルギーデバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-403537
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166442
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質としたエネルギーデバイスのサイクル特性を向上させる。【解決手段】 負極活物質薄膜の表面近傍の酸化層及び/又は負極活物質薄膜と集電体との界面近傍の酸化層を薄くする。または、該表面近傍及び該界面近傍を除く負極活物質薄膜内部の酸素濃度を低減する。これにより、イオンや電子の移動が容易になるのでサイクル特性が向上する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
集電体上に直接あるいは下地層を介して、シリコンを主成分として含む負極活物質薄膜が形成されたエネルギーデバイスであって、
前記負極活物質薄膜の表面近傍における酸素濃度のピーク値をOP1、前記集電体又は前記下地層と前記負極活物質薄膜との界面近傍及び前記表面近傍を除いた前記負極活物質薄膜中の深さ方向の酸素濃度分布が略一定と見なせる部分における酸素濃度をOC、前記表面近傍において酸素濃度が{(OP1-OC)/2}+OCである位置をD1、前記位置D1の前記負極活物質薄膜の表面からの深さをT1としたとき、T1≦20nmであることを特徴とするエネルギーデバイス。
IPC (4件)：
H01M4/38
, H01M4/04
, H01M4/62
, H01M10/40
H01M4/38 Z
, H01M4/04 A
, H01M4/62 Z
, H01M10/40 Z
5H029AJ03
, 5H029AJ05
, 5H029AK03
, 5H029AL11
, 5H029AM03
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029BJ02
, 5H029BJ14
, 5H029CJ24
, 5H029CJ28
, 5H029DJ08
, 5H029DJ18
, 5H029EJ01
, 5H029HJ01
, 5H029HJ04
, 5H029HJ13
, 5H050AA07
, 5H050AA08
, 5H050BA17
, 5H050CA08
, 5H050CB11
, 5H050DA03
, 5H050DA09
, 5H050EA02
, 5H050FA05
, 5H050FA20
, 5H050GA24
, 5H050HA01
, 5H050HA04
, 5H050HA13
出願人引用 (3件)
審査官引用 (11件)
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