特許
J-GLOBAL ID：200903077544460810
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224469
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086395
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は下部配線層等の表面の自然酸化膜等を除去するための表面処理を含む半導体装置の製造方法に関し、被処理体等のチャージアップを防止し、かつ被処理体等へのダメージの導入を防止しつつ、被処理体等の表層を除去することができる表面処理を含む半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板11/12上に形成されたタングステン膜13或いはタングステン含有膜,又はモリブデン膜或いはモリブデン含有膜の表面を、三フッ化窒素を含むガス中で、かつ前記基板11/12を加熱した状態で処理し、表層を除去することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたタングステン膜或いはタングステン含有膜,又はモリブデン膜或いはモリブデン含有膜の表面を、三フッ化窒素を含むガス中で、かつ前記基板を加熱した状態で処理し、表層を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 Z
, H01L 21/88 M
