特許
J-GLOBAL ID：200903077544784356
発光サイリスタおよび自己走査型発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239926
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153890
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【課題】 カソードとゲート間に十分な耐圧が確保され、しかもゲートと半導体層の接触抵抗が小さく、さらには光の外部取り出し効率の良い発光サイリスタを得ること、さらに、この発光サイリスタを用いた発光素子アレイや発光装置を得ることを目的とする。【解決手段】 N形半導体基板1上に、N形層24,P形層23,N形層22,P形層21がこの順に積層してある。N形層22では、半導体基板1とは反対側の不純物濃度を高く、半導体基板1側の不純物濃度を低く設定する。またP形層23についても、半導体基板1とは反対側の不純物濃度を低く、半導体基板1側の不純物濃度を高く設定する。
請求項（抜粋）：
第1導電形半導体基板上に、第1導電形半導体層を介して/介さずに、第2導電形半導体層,第1導電形半導体層,第2導電形半導体層がこの順に積層され、かつ前記積層された半導体層内部で生ずる光が外部に取り出されるように構成されている発光サイリスタにおいて、前記第1導電形半導体層のうち、前記2つの第2導電形半導体層に挟まれた第1導電形半導体層の不純物濃度は、前記半導体基板とは反対側が高濃度でかつ前記半導体基板側が低濃度であり、および/または、前記第2導電形半導体層のうち、前記2つの第1導電形半導体層に挟まれたあるいは前記第1導電形半導体層と前記第1導電形半導体基板とに挟まれた第2導電形半導体層の不純物濃度は、前記半導体基板とは反対側が低濃度でかつ前記半導体基板側が高濃度であることを特徴とする発光サイリスタ。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, H01L 29/74
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
H01L 29/74 E
, B41J 3/21 L
