特許

J-GLOBAL ID：200903077547346333

半導体装置

発明者： 真有 浩一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330453
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】セル面積を増加させることなく不揮発性メモリトランジスタの特性の安定化を図ることができる半導体装置を提供する。【構成】メモリトランジスタMTのソース配線層SDをメモリトランジスタMTのチャネルが形成される第1の拡散層Pwに接続する。これにより、例えばメモリトランジスタMTが、P形基板Pwに形成されたN形ウエルNw中に形成されたP形ウエルPw内に形成されている場合に、基板Pw電位を安定化できる。あるいは、メモリトランジスタMTのソース拡散層SDと基板Psbとをシリサイド層SIDによって接続してソース拡散層SDと基板Psbとを同電位とする。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積層を有する不揮発性メモリトランジスタを備える半導体装置において、該不揮発性メモリトランジスタのソース拡散層に電位を供給するソース配線層が、該不揮発性メモリトランジスタのチャネルが形成される第1の拡散層に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434