特許
J-GLOBAL ID：200903077549721530
イオン化スパッタ法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
丹羽 宏之
, 野口 忠夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-291105
公開番号（公開出願番号）：特開2004-124186
出願日： 2002年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】樹脂基板などやわらかい基板に膜応力が小さくボトムカバレッジ率が高く、また高い成膜速度で堆積膜を形成するイオン化スパッタ法を提供する。【解決手段】ターゲットから蒸発したスパッタ粒子をイオン化空間においてイオン化するイオン化手段を備え、イオン化したスパッタ粒子を堆積させるに際し、スパッタチャンバー内の圧力及びイオン化空間内でのスパッタ放電用ガスの滞留時間を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ターゲットから蒸発したスパッタ粒子をイオン化空間においてイオン化し、該イオン化したスパッタ粒子を基体近傍に形成される電界により前記基体に入射させ、前記基体表面に堆積膜を形成するイオン化スパッタ法において、前記基体が樹脂などのやわらかい材料であり厚味が薄い前記基体に堆積するに際し、スパッタチャンバー内の圧力が2Pa乃至8Pa、且つスパッタ放電用ガスの前記イオン化空間内での滞留時間が0.95×10-3sec以上における任意の前記滞留時間τである条件下で、前記堆積膜を形成することを特徴とするイオン化スパッタ法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/32 F
, H01L21/285 S
4K029AA06
, 4K029BA03
, 4K029BA09
, 4K029BA46
, 4K029BD01
, 4K029CA03
, 4K029DD04
, 4K029EA03
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104DD37
, 4M104HH13
