特許
J-GLOBAL ID：200903077550365179
半導体光増幅器およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135372
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】利得が高くかつ飽和光出力の高い半導体光増幅器およびその製造方法を提供する。【構成】活性層4のバンドギャップ波長が光入射側端面よりも光出射側端面付近において短波長となっていること、あるいはその活性層が多重量子井戸構造からなっていること、あるいはその活性層が引っ張り歪型の多重量子井戸構造からなり、光入射端面付近よりも光出射端面付近において歪量が大きくなっている半導体光増幅器である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも活性層が形成され、光入力側端面および光出力側端面に低反射膜が形成されなる半導体光増幅器において、活性層のバンドギャップ波長が光入射側端面よりも光出射側端面付近において短波長となっていることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (2件)：
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