特許

J-GLOBAL ID：200903077554152579

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 水原 秀樹 ,  渡辺 裕之 ,  児島 則章
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234456
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242277
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 平坦性及び膜質の良好な層間絶縁膜を得ること。【解決手段】 Si基板1上ゲート絶縁膜2、ゲート電極3及びソース・ドレイン領域4を形成してMOSトランジスタを完成する。そして、デバイスの全面にシリコン酸化膜5を形成し、その上に有機SOG膜6を形成した後、このSOG膜6にホウ素イオンを下地シリコン酸化膜5に到達するような条件で注入する。こうすることにより、改質SOG膜7とシリコン酸化膜5との密着強度が高くなり、改質SOG膜7が剥がれにくくなる。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層構造の絶縁膜における上層の絶縁膜に対し、不純物を、その不純物が少なくとも下層の絶縁膜との界面に達する条件で導入することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-199456
  
• 特開昭62-060242