特許
J-GLOBAL ID：200903077557583295
3層トンネル接合における幾何学的に増大された磁気抵抗
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉本 修司 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-537312
公開番号（公開出願番号）：特表2000-508834
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：
【要約】強磁性体-絶縁体-強磁性体の3層接合は室温下で約16%から数百パーセントに及ぶ磁気抵抗変化(JMR)効果を示す。交叉形状の接合測定値の中で接合領域にわたり実際のトンネル抵抗(RT)が電極膜抵抗(RL)に同等である場合には、大きな効果が認められる。交叉形状接合構造に於いて、幾何学的に増大されたJMRは、RTがRLと同等である時に動作領域に於いて非均一電流が流れることで定性的に説明される。接合領域が一定の場合には、有効接合抵抗(RJ)は絶緑層の厚みをコントロールし又は、強磁性体膜を適切に選ぶことにより、1オーム以下の値から数キロオームに迄変化することが出来る。本発明の3層トンネル接合は不揮発性で、安定しており、再現性を備える。
請求項（抜粋）：
接合抵抗を有する接合磁気抵抗変化デバイスであって、前記接合抵抗は、第1の独立磁化方向を持つ第1の電極と、 第2の独立磁化方向を持つ第2の電極と、 前記第1の電極と第2の電極との間に設けられて、接合抵抗と、接合全体およびその近傍の電極による寄生性抵抗との差分に等しい有効接合抵抗を持つ3層トンネル接合を形成する絶縁体と、 接合に電磁エネルギをかける為の供給源とを備え、前記エネルギは第1および第2の電極の磁化方向の少なくとも一つを反転させ、有効接合抵抗に対して室温下で少なくとも10%だけ接合抵抗を変化させる接合磁気抵抗変化デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, G11C 11/15
