特許
J-GLOBAL ID：200903077567222800
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013998
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206110
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の層間絶縁膜や保護膜の平坦化を図る。【構成】 下地絶縁膜の上にアルミ配線を形成した後、オゾン処理または過水処理を施して絶縁性のアルミナ層を形成し、TEOS常圧CVD法によって下地絶縁膜およびアルミ配線の上に酸化膜を形成する。アルミナ層の上の酸化膜の成膜速度が遅くなるので、酸化膜の表面の平坦化が達成でき、単層を以て層間絶縁膜や絶縁保護膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基体と、その表面上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜の上に形成された金属配線と、この金属配線の表面に形成されたアルミナ層と、このアルミナ層を介して金属配線の上および前記絶縁膜の上に、有機シランを主成分とする化学蒸着によって形成された酸化膜とを具えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
