特許
J-GLOBAL ID：200903077574259361
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121664
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】超高速のバイボーラデバイスにおいて、多結晶シリコン抵抗体の寄生容量を大幅に低減し、高速動作を可能にする。【構成】P型シリコン基板上に成長されたn- 型エピタキシャル層及びその上に形成されたシリコン酸化膜上に配置された多結晶シリコン低抗体において、その多結晶シリコン抵抗体の直下のn- 型エピタキシャル層をPn接合あるいは、トレンチアイソレーションにより電気的に分離し、抵抗体とP型基板の間に新たな接合容量を直列に付加するようにする。更に、効果的には複数の接合を積み重ねる事により寄生容量の大幅な低減が可能になる。
請求項（抜粋）：
P型シリコン基板上に成長されたn- 型エピタキシャル層及びその上に形成されたシリコン酸化膜上に配置された多結晶シリコン抵抗体において、該多結晶シリコン抵抗体の直下のn- 型エピタキシャル層をP型シリコン基板から電気的に分離する事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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