特許
J-GLOBAL ID：200903077575449458
固定皮膜抵抗器
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-361426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182808
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】固定皮膜抵抗器に於て、高抵抗領域に於ける抵抗皮膜の平均膜厚を従来の2倍以上の平均膜厚にすることで、固定皮膜抵抗器としの信頼性を増すことを目的とする。【構成】従来の固定皮膜抵抗器に於ける高抵抗領域は、抵抗皮膜の平均膜厚が100Å及至300Åであるため、抵抗皮膜の酸化、凝集等の劣化現象により固定皮膜抵抗器として信頼性に乏しかった。本発明は珪素・クローム合金をターゲット材料とし、第一回目のスパッタリングガスとして酸素を7%及至15%含むアルゴンガスを用い、連続して行なう第二回目のスパッタリングガスに酸素を0%及至3%含むアルゴンガスを用いて製造する事により、従来の2倍以上の平均膜厚にすることができる。
請求項（抜粋）：
珪素・クローム合金(珪素成分:55wt%及至75wt%,クローム成分:残)をターゲット材料とし、第一回目のスパッタリングガスとして酸素を7%及至15%含むアルゴンガスを用い、連続して行なう第二回目のスパッタリングガスに酸素を0%及至3%含むアルゴンガスを用い、電気的絶縁性基体上にスパッタリング法を用いて形成した皮膜に熱処理を加えることを特徴とする抵抗皮膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01C 17/12
, C23C 14/34
, H01C 7/00
