特許

J-GLOBAL ID：200903077577135990

SOI構造の形成方法

発明者： 落合 昭彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313700
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097398
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 SOIパターンのサイズ依存性がなく均一性の高いSOI層が得られ、また、はり合わせプロセスに起因する基板ウエーハのそりの影響を受けることなく均一なSOI層が得られるSOI構造の形成方法の提供。【構成】 一方のがわにSiO2 等の絶縁部2が形成されたシリコン基板1の該絶縁部2が形成されたがわの面に別の基板4をはり合わせ、シリコン基板1の他方のがわの面を研磨することによって絶縁部2上にシリコン部分10(SOI層)が存在するSOI構造を得るSOI構造の形成方法において、シリコン基板1のシリコン内部にO2 やN2 等をイオン注入することによりイオン注入層5を形成し、このイオン注入層5を研磨時のストッパ層とする。

請求項（抜粋）：

一方のがわに絶縁部が形成されたシリコン基板の該絶縁部が形成されたがわの面に別の基板をはり合わせ、前記シリコン基板の他方のがわの面を研磨することによって絶縁部上にシリコン部分が存在するSOI構造を得るSOI構造の形成方法において、前記シリコン基板のシリコン内部にイオン注入によりイオン注入層を形成し、このイオン注入層を研磨時のストッパ層とすることを特徴とするSOI構造の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/84 ,  H01L 21/76