特許
J-GLOBAL ID：200903077580306533
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146730
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315215
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 位置決めマークを凹部,凸部より形成することにもとづく位置検出誤差をなくして正確な位置決めが行えるようにすることを目的とする。【構成】 半導体ウエハ2の現像前に所定位置に熱的なダメージより成る位置決めマーク81,82を設けるレーザー熱照射装置23と、このレーザー熱照射装置23により形成された位置決めマーク81,82の検出により半導体ウエハ2の位置を検出する位置検出装置24とを備え、この位置検出装置24は複数の半導体被膜6,7を形成する毎に設けられた各位置決めマーク81,82間の位置の誤差を検出することができる。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハ等の試料の露光装置に対する位置決めを行って露光,現像して複数積層された半導体被膜より成る半導体装置を製造する半導体製造装置において、上記試料の現像前に所定位置に熱的なダメージより成る位置決めマークを設ける熱照射手段と、この熱照射手段により形成されたマークの検出により試料の位置を検出する位置検出手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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