半導体装置の製造方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209111
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】イソプロピルアルコール蒸気乾燥後のシリコン基板表面の吸着物等を除去する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】フッ酸洗浄(水素終端化処理)後イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行ったシリコン基板に対して、清浄雰囲気中でイソプロピルアルコールの脱離強度ピーク時の温度以上で、かつ終端水素の脱離強度ピーク時の温度よりも低い温度で一定時間の加熱を施して残留イソプロピルアルコール等を脱離させ、その後に酸化膜形成処理等を行う。【効果】シリコン基板表面を安定化している終端水素に影響を与えることなく、効果的に基板表面に吸着した汚染物を除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を洗浄する工程と、前記半導体基板を乾燥する工程と、前記乾燥の後に前記半導体基板の表面に付着する吸着物質を選択脱離させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 361 , H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/304 361 V , H01L 21/304 341 M

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