特許
J-GLOBAL ID：200903077580608190
導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
厚田 桂一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139278
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334351
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 低温焼成セラミック多層配線基板の表面のAu導体に対し直接接続でき、且つ内層配線とも接続良好なヴィア導体用ペーストを開発する。【構成】 Ag 80 〜99重量%とPd、Au、Ptの少なくとも 1種以上の合計 1〜20重量%からなる金属成分 100重量部に結晶化ガラス 0.3〜7 重量部及び有機ビヒクル 8〜50重量部を配合した低温焼成用導体ペーストをヴィア用及び内部配線用に用い、積層した低温焼成セラミックグリーンシートを 850°Cで焼成する。【効果】 本発明の導体ペーストは、最外層のヴィア導体に用いて表面のAu導体と直接接続でき、配線パターンの微小化が図れる。
請求項（抜粋）：
Ag 80〜99重量%とPd、Au、Ptの少なくとも 1種以上の合計1〜20重量%とからなる金属成分 100重量部、結晶化ガラス 0.3〜7 重量部及び有機ビヒクル 8〜50重量部からなる低温焼成セラミック多層配線基板用導体ペースト。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01B 1/16
, H05K 1/09
