特許

J-GLOBAL ID：200903077587326947

半導体基板洗浄液およびそれを用いた半導体基板の洗浄方法

発明者： 東 友之 ,  丸山 岳人 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208467
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】化学機械研磨後の半導体基板表面に、材料の溶解に伴う凹凸を発生させることなく、金属汚染やパーティクルの除去が可能な、半導体基板洗浄液を提供すること。【解決手段】半導体基板の化学機械研磨後に使用され、かつ含フッ素化合物と水溶性または水混和性有機溶剤とからなる半導体基板洗浄液である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の化学機械研磨後に使用される(A)含フッ素化合物と(B)水溶性または水混和性有機溶剤とを含有する水溶液からなる半導体基板洗浄液。

IPC (3件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/304 622 Q