特許
J-GLOBAL ID：200903077588212538
PTCサーミスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029104
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【構成】 磁器層14および18の間に比較的密度の小さい磁器層16を挟んで一体焼成し、3層構造のPTCサーミスタ素子12を形成する。PTCサーミスタ素子12の内部に発生する圧縮応力は、気孔によって吸収される。【効果】 PTCサーミスタ素子内に発生する応力を小さくでき、破壊特性が向上する。
請求項（抜粋）：
多層構造のPTCサーミスタ素子を含むPTCサーミスタであって、前記PTCサーミスタ素子の内層の密度を最外層の密度より小さく設定した、PTCサーミスタ。
引用特許：
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