特許
J-GLOBAL ID：200903077588430748

マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置

発明者：
四谷 真一

四谷 真一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087109
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282252
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】有機EL素子の画素をなす薄膜パターンを高精細画素に対応できる精度で成膜可能なマスクを容易に作製する。【解決手段】面方位が(100)であるシリコンウエハ1を用いる。先ず、このウエハ1の上面に、マスクの開口部10に対応する凹部11を形成する。この凹部11の形成は、ドライエッチング装置内で、保護膜形成用ガスの導入とエッチングガスの導入とを繰り返すことにより、レジストパターン2の開口部21の側壁に保護膜を形成しながらウエハ1をエッチングすることによって行う。次に、テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、ウエハ1の下面に凹部12を形成し、凹部11を貫通穴10とするとともに、薄肉部分1Aを形成する。
請求項（抜粋）：
開口部を有するマスクの製造方法において、基板の一方の面における所定位置に凹部を形成する工程と、前記基板の他方の面から、前記凹部が形成された領域に対応する部分を他の部分より薄くするとともに、前記凹部を貫通穴にし、前記開口部を形成する工程と、を有することを特徴とするマスクの製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 ,  H05B 33/14
FI (3件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 A ,  H05B 33/14 A
Fターム (10件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BA62 ,  4K029BB03 ,  4K029BC07 ,  4K029CA01 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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