特許
J-GLOBAL ID：200903077590726786
微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
米田 潤三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121036
公開番号（公開出願番号）：特開2003-311944
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 インキを直描することにより微細パターンを高い精度で形成することができる微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 使用するインキを、平均粒子径が1〜100nmの範囲内にある超微粒子と、この超微粒子の表面を被覆する分散剤と、有機バインダーと、加熱により前記分散剤を超微粒子表面から除去する補足物質とを少なくとも含有し、かつ、粘度が1〜10000cpの範囲内であるものとし、主電極と対向電極間に形成される電界と供給時の低圧力とによりシリコン基板の微細孔からパターン被形成体上にインキを吐出して直接描画し、その後、インキを加熱することにより所望の微細パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
微細パターン形成装置からインキをパターン被形成体上に吐出させ、その後、インキを加熱することにより所望の微細パターンを形成する方法において、前記インキは、平均粒子径が1〜100nmの範囲内にある超微粒子と、該超微粒子の表面を被覆する分散剤と、有機バインダーと、加熱により前記分散剤を超微粒子表面から除去する捕捉物質とを少なくとも含有するものであり、かつ、粘度が1〜10000cpの範囲内であり、前記微細パターン形成装置は、シリコン基板と、該シリコン基板の表面から裏面に貫通するように設けられた複数の微細孔と、前記シリコン基板の表面側に配設された主電極と、前記シリコン基板の裏面側に所定の間隔を設けて配置された対向電極と、前記シリコン基板の表面側に配設された支持部材と、前記シリコン基板表面側の前記微細孔の開口部にインキを供給するためのインキ流路と、該インキ流路に接続されたインキ供給装置とを備え、主電極に電圧を印加した状態で、インキ流路から低圧力で供給されたインキを各微細孔を介して吐出させることを特徴とする微細パターンの形成方法。
FI (2件)：
B41J 3/04 101 Z
, B41J 3/04 101 Y
2C056FB05
, 2C056FC01
, 2C056HA20
, 2C056HA21
