特許

J-GLOBAL ID：200903077597057677

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 橋本 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046836
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230470
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 フリー層全体に対する磁区制御を行い、磁壁の発生を防ぐ。【解決手段】 バイアス層3を、中間層4を介してフリー層5と隣接して形成する。このことにより、バイアス層3は、フリー層5の全体に対してバイアス磁界を印加できる。このため、フリー層5は全体的に磁区制御され、磁壁の発生が少なくなる。

請求項（抜粋）：

硬磁性層、第1の非磁性層、第1の強磁性層、第2の非磁性層、第2の強磁性層、及び反強磁性層が順次形成されている磁気抵抗効果薄膜と、電極層とを備え、上記第1の非磁性層は、上記硬磁性層と上記第1の強磁性層とを反強磁性結合させていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

Fターム (10件)：

5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12